삼성전자, TSMC 추격 나섰다..."2027년 1.4나노 양산"

이재은 기자 / 기사승인 : 2022-10-04 11:00:49
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美서 개최된 '삼성 파운드리 포럼'에서 발표
▲ 삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장이 '삼성 파운드리 포럼 2022'에서 발표하고 있는 모습 (사진=삼성전자)

삼성전자가 오는 2027년 1.4나노(nm·10억분의 1m) 반도체를 양산하겠다고 발표했다.

삼성전자는 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 3년만에 오프라인으로 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2022'(Samsung Foundry Forum 2022)에서 이같은 내용의 파운드리 신기술 로드맵과 사업전략을 공개했다. 파운드리는 반도체 위탁생산을 말한다.

삼성전자는 이날 선단 파운드리 공정 혁신과 함께 차세대 패키징 적층 기술개발 로드맵을 발표한 것은 대만 TSMC를 겨냥한 것으로 분석된다. 삼성전자는 글로벌 파운드리 시장에서 줄곧 TSMC에게 열세를 면치 못하고 있다. 대만의 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 2분기 글로벌 파운드리 시장점유율은 TSMC가 53.4%로 1위, 삼성전자가 16.5%로 2위였다.

이에 삼성전자는 TSMC에 한발 앞서 1.4나노 공정의 양산시기를 발표한 것으로 보인다. 삼성전자는 이번 포럼에서 2025년에 2나노, 2027년에 1.4나노 공정을 양산하겠다고 밝혔다. TSMC는 올해 1.4나노 개발 계획만 밝혔지 양산 시기는 아직 특정하지 않았기 때문에 삼성이 선수를 친 셈이다.

삼성전자는 공정 혁신과 함께 2.5차원·3차원 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술개발도 가속화한다. 특히 삼성전자는 3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편 3차원(3D) 집적회로(IC) 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공할 예정이다.

삼성전자는 u-범프형 X-큐브를 2024년에 양산하고, 2026년에는 범프레스형 X-큐브를 선보일 계획이다. u-범프(micro Bump)는 일반 범프보다 입출력(I/O)이 높아 더 많은 데이터 처리가 가능하다. 범프레스(Bump-less)는 패키징에서 범프를 없애고 더 많은 I/O 삽입이 가능해 데이터의 처리양을 u-범프보다 많이 구현할 수 있다.
 
또 삼성전자는 고성능컴퓨팅(HPC), 오토모티브(차량용 반도체), 5세대(5G), 사물인터넷(IoT) 등 고성능·저전력 반도체 시장을 적극 공략해, 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워나가겠다는 전략이다.

이를 위해 삼성전자는 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한데 이어, 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대한다. eNVM(embedded Non-Volatile Memory)과 RF도 다양한 공정을 개발해 고객 니즈에 맞춘 파운드리 서비스를 제공할 계획이다.

삼성전자는 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14나노로 확대하고, 향후 8나노 eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다. 삼성전자는 RF 공정 서비스도 확대한다. 삼성전자는 현재 양산 중인 14나노 RF 공정에 이어 세계 최초로 8나노 RF 제품 양산에 성공했으며, 5나노 RF 공정도 개발 중이다.

삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 "고객의 성공이 삼성전자 파운드리사업부의 존재 이유"라고 강조하며 "삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다"고 말했다.

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